Acquista la stazione di rilavorazione BGA

Acquista la stazione di rilavorazione BGA

1. È possibile acquistare la stazione di rilavorazione BGA direttamente dal produttore originale.2. Stazione di rilavorazione BGA automatica DH-A2.3. Micrometro per la regolazione dell'angolo BGA e la regolazione della scheda madre.4. Porto: Shenzen.

Descrizione

Acquista la stazione di rilavorazione BGA 

bga soldering station

Automatic BGA Soldering Station with optical alignment

1. Applicazione della stazione di rilavorazione ottica automatica BGA 

Funziona con tutti i tipi di schede madri o PCBA.

Saldare, reball, dissaldare diversi tipi di chip: BGA,PGA,POP,BQFP,QFN,SOT223,PLCC,TQFP,TDFN,TSOP,

PBGA, CPGA, chip LED.

2.Caratteristiche del prodotto diOttico automaticoStazione di rilavorazione BGA 

Automatic BGA Soldering Station with optical alignment

 

3.Specifica diOttico automaticoStazione di rilavorazione BGA 

Laser position CCD Camera BGA Reballing Machine

4.Dettagli diOttico automaticoStazione di rilavorazione BGA 

ic desoldering machine

chip desoldering machine

pcb desoldering machine


5. Perché scegliere il nostroOttico automaticoStazione di rilavorazione BGA

motherboard desoldering machinemobile phone desoldering machine


6.Certificato diOttico automaticoStazione di rilavorazione BGA 

Certificati UL, E-MARK, CCC, FCC, CE ROHS. Nel frattempo, per migliorare e perfezionare il sistema di qualità,

Dinghua ha superato la certificazione di audit in loco ISO, GMP, FCCA, C-TPAT.

pace bga rework station


7.Imballaggio e spedizione diAutomaticoStazione di rilavorazione BGA 

Packing Lisk-brochure



8.Spedizione perOttico automaticoMacchina BGA Reballing

DHL/TNT/FEDEX. Se desideri altri termini di spedizione, comunicacelo. Ti supporteremo.


9. Termini di pagamento

Bonifico bancario, Western Union, Carta di credito.

Per favore dicci se hai bisogno di altro supporto.


10. Come funziona la macchina reballing automatica BGA IC DH-A2?




11. Conoscenze correlate

Informazioni sul chip flash


Dinamiche dell'offerta

Recentemente, la nuova società di chip proprietaria di SandForce, LSI, ha dichiarato che stanno sviluppando un nuovo firmware per l'SSD master SF

nell'Ultrabook. La funzione principale è ridurre il consumo energetico dell'SSD e anche migliorare le prestazioni dell'unità

SSD e velocizza l'avvio. velocità.


parametro

3. Alimentazione 3V;

L'array di celle di memoria interna del chip è (256M + 8.192M) bit × 8 bit, e il registro dati e la memoria buffer sono entrambi

(2k + 64) bit × 8 bit;

Porta I/O con multiplexing di istruzioni/indirizzi/dati;

I comandi di programmazione e cancellazione possono essere sospesi durante la conversione di potenza;

Grazie all'affidabile tecnologia CMOS Moving Gate, il chip può raggiungere un ciclo di programmazione/cancellazione massimo di 100kB, che

garantisce la conservazione dei dati per 10 anni senza perdite.


Stato lavorativo

I/O0~I/O7: porta di input e output dei dati, la porta I/O viene spesso utilizzata per l'input di istruzioni e indirizzi e per input/output di dati,

dove sono i dati

Inserisci durante il processo di lettura. Quando il chip non è selezionato o non può essere emesso, la porta I/O è in uno stato di alta impedenza.

CLE: il latch dell'istruzione viene utilizzato per attivare l'istruzione nel percorso del registro delle istruzioni e bloccare l'istruzione su

il fronte di salita di WE e CLE è alto.

ALE: Latch indirizzo, utilizzato per attivare il percorso dell'indirizzo al registro indirizzi interno e l'indirizzo è bloccato sul

il fronte di salita di WE e ALE è alto.

CE: Chip Selector, utilizzato per controllare la selezione del dispositivo. Quando il dispositivo è occupato, CE è alto e viene ignorato e il dispositivo non può tornare indietro

allo stato di attesa.

RE: Abilitazione lettura, utilizzata per controllare l'output continuo di dati e inviare i dati al bus I/O. I dati di output sono validi solo su

il fronte di discesa della RE e può anche accumulare indirizzi dati interni.

WE: Il terminale di abilitazione alla scrittura viene utilizzato per controllare la scrittura delle istruzioni della porta I/O. Allo stesso tempo, il comando, indirizzo

e i dati possono essere bloccati sul fronte di salita dell'impulso WE attraverso questa porta.

WP: protezione da scrittura, che può essere protetta da scrittura nella conversione di potenza tramite il terminale WP. Quando il WP è basso, è interno

il generatore di alto livello verrà ripristinato.

R/B: uscita Ready/Busy, l'uscita di R/B può mostrare lo stato operativo del dispositivo. Quando R/B è basso, indica che un programma,

è in corso un'operazione di cancellazione o di lettura casuale. Una volta completata l'operazione, R/B tornerà automaticamente al livello alto. Dal momento che

Il terminale è un'uscita a drain aperto, non sarà in uno stato ad alta impedenza anche quando il chip non è selezionato o l'uscita è disabilitata.

PRE: operazione di lettura all'accensione, utilizzata per controllare l'operazione di lettura automatica quando l'alimentazione è accesa ed è possibile collegare il terminale PRE

a VCC per realizzare l'operazione di lettura automatica all'accensione.

VCC: terminale di alimentazione del chip.

VSS: truciolo macinato.

NC: Impiccagione.

Modifica dello stato del lavoro

Operazione di lettura di 1 pagina

Lo stato predefinito del chip flash è lo stato di lettura. L'operazione di lettura consiste nell'avviare l'istruzione scrivendo l'indirizzo 00h nel file

registro istruzioni attraverso 4 cicli di indirizzi. Una volta bloccata l'istruzione, l'operazione di lettura non può essere scritta nella pagina successiva.

I dati possono essere emessi in modo casuale da una pagina scrivendo un'istruzione di emissione dati casuale. L'indirizzo dei dati può essere trovato automaticamente

l'indirizzo successivo tramite istruzioni di output casuali dall'indirizzo dati da emettere. Le operazioni di output dei dati casuali possono essere utilizzate più volte

volte.

Programmazione su 2 pagine

La programmazione del chip flash è pagina per pagina, ma supporta la programmazione di più pagine parziali in un ciclo di programmazione a pagina singola,

mentre il numero di pagine consecutive di una pagina parziale è 2112. Il funzionamento del programma può essere avviato scrivendo nella pagina programma

istruzione di riconoscimento (10h), ma i dati continui devono essere immessi prima che l'istruzione (10h) venga scritta.

Caricamento continuo dei dati Dopo aver scritto un'istruzione di immissione dati continua (80h), verranno avviati 4 cicli di immissione indirizzo e caricamento dati, ma

la parola è diversa dai dati programmati, non è necessario caricarla. Il chip supporta l'immissione casuale di dati nella pagina e può

modificare automaticamente l'indirizzo in base al comando di immissione dati casuale (85h). L'immissione casuale dei dati può essere utilizzata anche più volte.

3 programmazione della cache

La programmazione della cache è un tipo di programmazione della pagina che può essere eseguita da un registro dati a 2112-byte ed è valida solo in un blocco. Perché

il chip flash ha un buffer di pagina e può eseguire l'immissione continua di dati quando il registro dati è programmato nella cella di memoria. Cache

la programmazione può iniziare solo dopo la fine di un ciclo di programmazione incompleto e i registri dei dati vengono passati dalla cache. La programmazione interna può essere giudicata dal pin R/B. Se il sistema utilizza solo R/B per monitorare l'avanzamento del programma, quindi l'ordine dell'ultima pagina

del programma di destinazione deve essere organizzato secondo le istruzioni di programmazione della pagina corrente.

Doppiaggio con 4 unità di stoccaggio

Questo effetto può sovrascrivere in modo rapido ed efficiente i dati in una pagina senza accedere alla memoria esterna. Dal momento che il tempo trascorso in continuo

l'accesso e il ricaricamento vengono ridotti, la capacità di esecuzione del sistema viene migliorata. Soprattutto quando una parte del blocco viene aggiornata e il

il resto del blocco deve essere copiato nel nuovo blocco, i suoi vantaggi sono chiaramente mostrati. Questa operazione è un comando di lettura eseguito continuamente,

ma non richiede l'accesso continuo e la copia del programma dall'indirizzo di destinazione. Un'operazione di lettura dell'indirizzo della pagina originale

L'istruzione "35h" può trasferire tutti i 2112 byte di dati nel buffer dati interno. Quando il chip ritorna allo stato pronto, la pagina viene copiata

viene scritta l'istruzione di input dati con il loop di indirizzi di destinazione. Il programma di errore in questa operazione è dato dallo stato "pass/fail". Tuttavia,

se l'operazione impiega troppo tempo per essere eseguita, si verificherà un piccolo errore operativo a causa della perdita di dati, con conseguente controllo del dispositivo di "controllo/correzione" dell'errore esterno

fallimento. Per questo motivo l'operazione andrebbe corretta con due errori.

Cancellazione di 5 blocchi

L'operazione di cancellazione del chip flash viene eseguita a blocchi. Il caricamento dell'indirizzo del blocco inizierà con un'istruzione di cancellazione del blocco e verrà completato in due cicli. Infatti, quando le linee di indirizzo da A12 ad A17 vengono lasciate flottanti, sono disponibili solo le linee di indirizzo da A18 ad A28. La cancellazione può essere avviata caricando il comando di conferma della cancellazione e l'indirizzo del blocco. Questa operazione deve essere eseguita in questo ordine per evitare che il contenuto della memoria venga influenzato da disturbi esterni e causi un errore di cancellazione.

6 stato di lettura

Un registro di stato all'interno del chip flash conferma che le operazioni di programmazione e cancellazione sono state completate con successo. Dopo l'istruzione di scrittura (70h) nel registro delle istruzioni, il ciclo di lettura invia il contenuto del registro di stato all'I/O sul fronte di discesa di CE o RE. Il registro delle istruzioni rimarrà nello stato di lettura finché non arriva la nuova istruzione, quindi se il registro di stato è nello stato di lettura durante un ciclo di lettura casuale, allora dovrebbe essere fornita un'istruzione di lettura prima dell'inizio del ciclo di lettura.




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